Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
|
|
| Creator |
Ажажа, В.М.
Ковтун, Г.П. Неклюдов, И.М. |
|
| Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
| Description |
Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr и др. металлов. Приведены результаты исследований по стойкости кварцевых тиглей с покрытиями в расплавах GaAs и Ga и результаты разработок геттерных материалов на основе сплавов Zr для очистки технологических газов. Показана важность комплексного подхода к проблеме высокочистых исходных материалов.
In work results of numerical modelling electrophysical properties GaAs are given on the content of residual impurity, physical methods of refinement for reception high purity Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr and other metals are stated. Results of researches on stability quartz crucibles with coverings in GaAs and Ga melts and results of development getter materials are given on the basis of alloys Zr for clearing technological gases. |
|
| Date |
2014-11-13T19:22:22Z
2014-11-13T19:22:22Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники / В.М. Ажажа, Г.П. Ковтун, И.М. Неклюдов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70796 621.3:548.55 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|