Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
|
|
| Creator |
Завадский, В.А.
Ленков, С.В. Лукомский, Д.В. Мокрицкий, В.А. |
|
| Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
| Description |
Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в зависимости от дозы облучения. Первый (дозы облучения до 1·10¹⁵см⁻²) может служить средством улучшения свойств слоев: повышение подвижности носителей заряда и увеличение быстродействия. Второй (дозы облучения более 5·10¹⁵см⁻²) снижает концентрацию и подвижность носителей заряда.
The opportunity of control (management) of parameters of arsenide gallium epilayers with the help of radiation handling by fast neutrons is shown. In technological aspect the irradiation by neutrons as a control facility properties of arsenide gallium epilayers is offered to be divided into two aspects depending on a doze of an irradiation. The first aspect — small dozes of an irradiation up to 1·10¹⁵sm⁻² — the heightening of mobility of charge carriers and increase of speed can serve by a means of improvement of properties of stratums. The second aspect — doze of an irradiation more than 5·10¹⁵sm⁻²— decreases concentration and mobility of charge carriers. |
|
| Date |
2014-11-13T19:27:09Z
2014-11-13T19:27:09Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия / В.А. Завадский, С.В. Ленков, Д.В. Лукомский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 7-9. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70797 621.37/39.193:539.216:539.211 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|