Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей
|
|
| Creator |
Масенко, Б.П.
|
|
| Subject |
Энергетическая микроэлектроника
|
|
| Description |
Рассмотрено получение методом Степанова поликристаллических полых кремниевых призм (ПКП), пригодных для производства фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Экспериментально исследована и проанализирована структура граней ПКП в зависимости от тепловых условий выращивания.
Reception of polycrystalline hollow silicon prisms (HSP) by Stepanov method suitable for solar cells manufacturing is considered. The structure of HSP facet is experimentally investigated and analysed depending on growth thermal conditions. |
|
| Date |
2014-11-13T19:42:10Z
2014-11-13T19:42:10Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей / Б.П. Масенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 33-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70805 621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|