Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
|
|
| Creator |
Иванов, В.Н.
Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. |
|
| Subject |
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
|
|
| Description |
Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями TiNх, TaNх, TiBrх мало изменяют параметры после термообработки при 550°C в течение 1 часа. Контакты со слоями Ti и Ta при термообработке 550°C резко изменяют свои характеристики.
Discussion of the thermal stability of ohmic and rectifying AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au contacts to n-type GaAs epitaxial layer structures 3—5 mm thick with carrier concentration ranged between (5...6)·10¹⁵ cm⁻³. It is shown that parameters of contacts which included TiNх, TaNх, TiBrх layers changed slightly after annealing at 550°C for 1 hour. Contacts with Ti and Ta layers showed abrupt changes in their characteristics when annealed at 550°C. |
|
| Date |
2014-11-13T19:53:31Z
2014-11-13T19:53:31Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 54-56. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70810 621.382.2.029.64 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|