Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
|
|
| Creator |
Новосядлый, С.П.
|
|
| Subject |
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
|
|
| Description |
Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<0,05 см⁻²), не влияет на зарядовое состояние границы раздела Si—SiO₂ и создает благоприятные условия для осуществления низкотемпературной (<700°C) гомоэпитаксии монокремния и поликремния на Si-подложке любого типа ориентации.
In article experimental researches of high-frequency plasma processes of sedimentation and etching of functional layers are resulted at formation of submicronic structures the VLSI with the minimal topological sizes 0,5—0,8 mm with use of a zone of afterglow of reactors of a electron-cyclotron resonance. Such plasma technology provides minimally introduced deficiency of functional layers (<0,05 sm⁻²), do not influence a charging condition of border of unit Si—SiO₂ and creates favorable conditions for realization low temperature (<700°C) homo epitaxial monosilicon and polysilicon on a Si-substrate of any type of orientation. |
|
| Date |
2014-11-13T19:54:52Z
2014-11-13T19:54:52Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 57-63. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70811 621.382.8 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|