Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
|
|
| Creator |
Завадский, В.А.
Зубарев, В.В. Мокрицкий, В.А. |
|
| Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
| Description |
Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и сопротивления при облучении дозами 10¹³–10¹⁵ см⁻² и выше.
The research of influence of radiation processing by high-energy electrons on photoreceivers on the base of cadmium—mercury—tellurium composition at 80 and 120 K temperature has been curried out. The analysis of dose dependence of dark current and resistance at irradiation by 10¹³–10¹⁵ cm⁻² doses and more has been given. |
|
| Date |
2014-11-15T14:11:04Z
2014-11-15T14:11:04Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe / В.А. Завадский, В.В. Зубарев, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 4-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70852 621.37/39.193:539.216:539.211 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|