Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
|
|
| Creator |
Ковтун, Г.П.
Кравченко, А.И. Щербань, А.П. |
|
| Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
| Description |
Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых устройств. Показано, что суммарное содержание основных примесных элементов в галлии, цинке, кадмии и теллуре после рафинирования может быть снижено соответственно до уровня 1·10⁻⁴, <2,5·10⁻⁴, 1,4·10⁻⁴, <4,2·10⁻⁴.
The results of studies of deep refinement of gallium, zinc, cadmium and tellurium by distillation methods have been explained, including removing volatile impurities, distillation and filtering of base metal by the use of simple systems. It has been shown that the total content of the basic impurity elements in gallium, zinc, cadmium and tellurium after refinement can be reduced accordingly to a level 1·10⁻⁴, <2,5·10⁻⁴, 1,4·10⁻⁴, <4,2·10⁻⁴. |
|
| Date |
2014-11-15T14:12:46Z
2014-11-15T14:12:46Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70853 669.054 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|