Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
|
|
| Creator |
Косяченко, Л.А.
Раренко, И.М. Марков, А.В. Остапов, С.Э. |
|
| Subject |
Функциональная микроэлектроника
|
|
| Description |
С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей на распределение объемного заряда в переходе по координате, что приводит к отклонению зависимости потенциала от квадратичной, а напряженности электрического поля — от линейной. Результаты могут быть использованы, в частности, для детектирования инфракрасного излучения в спектральной области 8—14 мкм.
The Poisson equation for n⁺–p-junction has been solved by numerical methods, the peculiarities of distribution of space charge, field strength and potential have been considered. It has been shown that at band-gap narrowing the influence of free carriers on distribution of space charge in junction on co-ordinate is essential that this leads to bias relationship of potential from quadratic one and field strength from linear one. The results can be used, in particular, for detection of infrared radiation in 8— 14 mm spectrum field. |
|
| Date |
2014-11-15T14:16:58Z
2014-11-15T14:16:58Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Особенности электрических характеристик n⁺–p-перехода на основе узкозонных полупроводников / Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, А.В. Марков, С.Э. Остапов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 11-14. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70855 546.711.49 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|