Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
|
|
| Creator |
Попович, Н.И.
Довгошей, Н.И. Качер, И.Э. |
|
| Subject |
Функциональная микроэлектроника
|
|
| Description |
Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики после термообработки (473 К), естественного старения (два года), а также обработки лазерным излучением (10⁶ Вт/см²) остаются неизменными. Изучена возможность применения ZnGa₂S₄ в качестве просветляющих и защитных покрытий для оптических кристаллов в диапазоне длин волн 0,3—25 мкм.
The optical characteristics of new widezone ZnGa₂S₄ semiconductor thin films have been investigated. The transparance range of films is 0,3— 25 mm, the refraction index for λ=0,63 mm equels 2,2. The optical characteristics after thermal processing (473 K), natural ageing (two years) as well as treatment by laser beam (10⁶ W/sm²) are remained without changes. The possibility of ZnGa₂S₄ application as antirefrection coating and protective coats for optical crystals in range of 0,3—20 mm long waves has been studied. |
|
| Date |
2014-11-15T14:20:38Z
2014-11-15T14:20:38Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов / Н.И. Попович, Н.И. Довгошей, И.Э. Качер // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 19-20. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70857 535.3:535.51 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|