Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
|
|
| Creator |
Байдулаева, А.
Власенко, А.И. Ломовцев, А.В. Мозоль, П.Е. |
|
| Subject |
Сенсоэлектроника
|
|
| Description |
Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью обусловлено образованием слоя Те на поверхности образцов в результате лазерного облучения.
The volt-current characteristics of n- and р-type CdTe single crystals and polycrystals have been investigated. The effect of switching with memory after samples irradiation by laser pulses has been seen. The switching time is about 10—100 ns. It has been established that the apperance of switching effect with memory was motivated by the formation of Te layer on the surface of samples as the result of laser irradiation. |
|
| Date |
2014-11-15T14:26:10Z
2014-11-15T14:26:10Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдулаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70860 621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|