Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
|
|
| Creator |
Светличный, А.М.
Агеев, О.А. Шляховой, Д.А. |
|
| Subject |
Технология производства
|
|
| Description |
Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки.
|
|
| Date |
2014-11-15T16:39:53Z
2014-11-15T16:39:53Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70875 539.216.2.002—546.28 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|