Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
|
|
| Creator |
Добровольский, Ю.Г.
Рюхтин, В.В. Шимановский, А.Б. |
|
| Subject |
Компоненты для электронной аппаратуры
|
|
| Description |
Разработаны кремниевые p—n-фотодиоды, чувствительные к ближней области ультрафиолетового излучения (до 190 нм). Высокий уровень токовой монохроматической чувствительности в этой области спектра (0,1 А/Вт) достигнут повышением концентрации бора в легированной области до 6·10¹⁹ см⁻³ и формированием резкого p—n-перехода с глубиной залегания до 0,2 мкм. Длительность наработки фотодиодов составляет 100000 ч.
|
|
| Date |
2014-11-15T16:41:26Z
2014-11-15T16:41:26Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра / Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, А.Б. Шимановский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 44-46. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70876 537.312.5:621.383.52 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|