Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы
|
|
| Creator |
Викулина, Л.Ф.
Храмов, Е.Ф. |
|
| Subject |
Компоненты для электронной аппаратуры
|
|
| Description |
Исследовано влияние γ-излучения на параметры магнитоуправляемых переключающих микросхем типа К1116КП. Обнаружено, что под действием излучения уменьшается эдс Холла, входящего в схему датчика, а также коэффициенты передачи по току транзисторов, что приводит к увеличению пороговой индукции магнитного поля Вп, при достижении которой происходит переключение. Предложен схемный метод компенсации изменения указанных величин, что позволяет создавать микросхемы со стабильным значением Вп.
|
|
| Date |
2014-11-15T16:43:59Z
2014-11-15T16:43:59Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы / Л.Ф. Викулина, Е.Ф. Храмов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 49-50. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70878 621.382 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|