Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
|
|
| Creator |
Гаркавенко, А.С.
|
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, равной эффективной массе электрона. Такая дырка может связаться с электроном и образовать экситон нового типа—позитекс. На основе аналогии между позитексами и экситонами Ванье–Мотта показана возможность достижения необходимых и достаточных условий для генерации когерентного гамма-излучения в такой системе.
|
|
| Date |
2014-11-15T16:48:04Z
2014-11-15T16:48:04Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 56-59. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70881 621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|