Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
|
|
Creator |
Королюк, С.Л.
Королюк, С.С. Раренко, И.М. Тарко, О.Л. Галочкин, А.В. |
|
Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
Description |
Предложена идея нетрадиционного усилителя тока на основе радиационно стойких полупроводников (ПП) группы A³₂B⁶₃. Кристаллическая решетка этих ПП содержит стехиометрические вакансии (пустые узлы), которые захватывают и электрически нейтрализуют вводимые примеси. Поэтому создать в таких ПП p—n-переход и на его основе усилитель — невозможно. Идея авторов основана на том, что в собственном ПП, помещенном во внешнее электрическое поле, увеличивается количество электронно-дырочных пар вследствие понижения ионизационного потенциала атомов ПП (эффект Зенера).
|
|
Date |
2014-11-15T18:40:55Z
2014-11-15T18:40:55Z 2001 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники / С.Л. Королюк, С.С. Королюк, И.М. Раренко, О.Л. Тарко, А.В. Галочкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70883 621.315.592 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|