Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
|
|
| Creator |
Курмашев, Ш.Д.
Викулин, И.М. Ленков, С.В. |
|
| Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
| Description |
Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой величиной удельной емкости. Это дает возможность улучшить эксплуатационные характеристики систем отображения информации, МДП-транзисторов, расширить диапазон изменения емкости варикапов, а также создавать малогабаритные конденсаторы большой емкости.
|
|
| Date |
2014-11-15T18:42:46Z
2014-11-15T18:42:46Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 6-8. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70884 621.314.26 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|