Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
|
|
| Creator |
Власенко, А.И.
Власенко, З.К. Гнатюк, В.А. Смирнов, А.Б. Курило, И.В. Рудый, И.А. Ижнин, И.И. |
|
| Subject |
Функциональная микроэлектроника
|
|
| Description |
Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фоточувствительности может технологически регулироваться составом и рекомбинационными параметрами диффузионного и нарощенного слоев.
|
|
| Date |
2014-11-15T18:52:48Z
2014-11-15T18:52:48Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70889 621.384.3 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|