Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
|
|
| Creator |
Ковтун, Г.П.
Кравченко, А.И. Щербань, А.П. |
|
| Subject |
Новое технологическое оборудование для микроэлектроники
|
|
| Description |
Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нестабильность диаметра и появление двойникования у выращиваемых монокристаллов при значительном снижении температурного градиента.
|
|
| Date |
2014-11-15T19:06:46Z
2014-11-15T19:06:46Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 52-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70897 621.315.592:658.511.5 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|