Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
|
|
| Creator |
Литвинович, Г.В.
Сокол, В.А. Углов, В.В. Занг, И.З. Абрамов, И.И. Данилюк, А.Л. |
|
| Subject |
Технология производства
|
|
| Description |
Рассмотрены вопросы формирования и свойства резистивных элементов, полученных имплантацией пленок пористого анодного оксида алюминия аморфной и кристаллической γ-Al₂O₃ модификации ионами титана и молибдена. Оказалось, что на поверхности таких пленок могут быть сформированы резистивные слои, сопротивление которых изменяется в широких пределах — от десятков ом до десятков мегаом. Полученные результаты могут найти широкое применение на практике, например, при построении различных радиоэлектронных устройств на пленках анодного оксида алюминия.
Formation questions and properties of resistive elements produced by films implantation of pore anode alumina of amorphous and crystal modification γ-Al₂O₃ by ions of titanium and molybdenum have been considered. It turned out that on surface of such films can be formed resistive layers, the resistance of which is changed in wide ranges - from ten Ohms to tens MegaOhms. The obtained results can find wide application on practice, for example, at constructing of different radioelectronic devices on films of anode alumina. |
|
| Date |
2014-11-16T14:34:34Z
2014-11-16T14:34:34Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо / Г.В. Литвинович, В.А. Сокол, В.В. Углов, И.З. Занг, И.И. Абрамов, А.Л. Данилюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 15-18. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70909 621.382:621.315.5/61 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|