Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов
|
|
| Creator |
Ащеулов, А.А.
Добровольский, Ю.Г. Безулик, В.А. |
|
| Subject |
Компоненты для электронной аппаратуры
|
|
| Description |
Представлены результаты воздействия на кристаллические структуры некоторых полупроводниковых приборов электрического и магнитного полей соответствующей геометрии с целью коррекции параметров приборов на различных технологических этапах. Установлено, что изменения параметров наблюдаются у кристаллических структур, характеризующихся нестабильностью энергетического состояния.
The action results on crystal structures of some appropriate geometry semiconductor devices of electric and magnetic fields for the purpose of correction of devices parameters on different process stages have been represented. It has been found that parameters change is exhibited in crystal structures characterized by runaway of energy state. |
|
| Date |
2014-11-16T14:45:04Z
2014-11-16T14:45:04Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов / А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольский, В.А. Безулик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 33-35. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70913 537.312.5 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|