Физические имитаторы мощных транзисторов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Физические имитаторы мощных транзисторов
|
|
Creator |
Стевич, З.
|
|
Subject |
Электронная аппаратура: исследования, разработки
|
|
Description |
Рассмотрены возможности использования физических моделей (имитаторов) транзисторов высоких мощностей в процессе создания новых радиоэлектронных приборов вместо реальных (чаще всего дорогостоящих) транзисторов. Приведены принципиальные схемы сигнализации перенапряжения и токовой перегрузки.
Possibilities of using physical models (simulators) of transistors of high power during creation process of new radioelectronical devices instead of real (mostly expensive) transistors have been considered. The circuit diagrams of overvoltage and current overload allarming have been given. |
|
Date |
2014-11-16T17:10:58Z
2014-11-16T17:10:58Z 2000 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Физические имитаторы мощных транзисторов / З. Стевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 15-16. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70922 621.382.36621.372 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|