Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
|
|
| Creator |
Гаркавенко, А.С.
|
|
| Subject |
Материалы для компонентов
|
|
| Description |
Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющей тока у металлов, применяемых для получения барьера. Между тем у сурьмы, ванадия, хрома и др. Эта составляющая достигает более 10²⁵ м⁻³.
The opportunity of creation of effective radiating diodes is proved on the basis of semiconductors of A₂B₆ type using a Shottki's barrier. The known advantages of a high quantum exit of such semiconductors are not realized because of difficulty of creation on their basis p n-transition and small hole component of a current at metals used for reception of a barrier. Meanwhile in antimony, vanadium, chrom etc this component achieves more than 10²⁵ m⁻³. |
|
| Date |
2014-11-16T17:27:01Z
2014-11-16T17:27:01Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70931 535.34:621.362.1 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|