Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника
|
|
| Creator |
Иващук, А.В.
Кохан В.П. |
|
| Subject |
Технология производства
|
|
| Description |
Предложено устройство и технология обработки поверхности полупроводника в едином технологическом цикле с нанесением металлизации барьерных и омических контактов.
The device design has been presented and technology of GaAs surface treatment with low energy argon ions followed by barrier or ohmic contacts in the single vacuum cycle without discapsulation of evaporation chamber has been described. It is shown that barrier contacts fabricated by the use of proposed technology process have the improved electrical parameters and thermal stability. |
|
| Date |
2014-11-16T20:04:58Z
2014-11-16T20:04:58Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника / А.В. Иващук, В.П. Кохан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 4. — С. 35-37. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70944 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|