Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния
|
|
| Creator |
Викулина, Л.Ф.
Марколенко, П.Ю. Шевчук, О.Б. |
|
| Subject |
Технология производства
|
|
| Description |
Исследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи тока и магниточувствительности. Экспериментально установлено, что гамма-излучение дозой 10⁷ Р увеличивает магниточувствительность в 3 раза, а облучение потоком нейтронов до 5·10¹² н/см² уменьшает ее в 2 раза.
The influence of radiation by neutron and gamma-ray quantum on sensitivity of magnetotransistors produced from high-resistivity silicon has been investigated. It is shown that the radiation action is revealed itself basically in changing life time of charge carriers in the transistor base that causes changing its alpha coefficient and magnetosensitivity. It has been established experimentally that gamma-ray radiation by dose to 10⁷ roentgen increases magnetosensitivity a three times and radiation by neutrons flow to 5·10¹² n/sm² decreases it a two times. |
|
| Date |
2014-11-18T06:57:51Z
2014-11-18T06:57:51Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния / Л.Ф. Викулина, П.Ю. Марколенко, О.Б. Шевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 50-51. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70965 621.382 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|