Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников
|
|
| Creator |
Вакив, Н.М.
|
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Обсуждается проблема деградации радиационно-индуцированного оптического поглощения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Рассмотрены варианты математического моделирования возможных релаксационных превращений. На примере стекол квазибинарной системы (Sb₂S₃)y(GeS₂)1–y при широкой вариации их химического состава показано, что адекватная математическая модель для количественного описания деградации может быть развита на основе бимолекулярной релаксационной функции, описывающей процессы аннигиляции характерных для данных аморфных материалов координационных дефектов.
The degradation problem of radiation-induced optical absorption in chalcogenide vitreous semiconductors are discussed. Variants of mathematical simulation of possible relaxation transformations have been considered. On example of glasses of (Sb₂S₃)y(GeS₂)1-y quasi-binar system at wide variation their chemical composition it has been shown that adequate mathematical model for quantitative description of degradation can be developed on base of bimolecular relaxation function descripting processes of annigilation featured for data of amorphous materials of coordination defects. |
|
| Date |
2014-11-18T06:59:31Z
2014-11-18T06:59:31Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников / Н.М. Вакив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 52-57. — Бібліогр.: 56 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70966 539.216.2 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|