Формирование островковых наносистем в результате самоорганизации при плавлении конденсированных пленок Bi и Sn на Si
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формирование островковых наносистем в результате самоорганизации при плавлении конденсированных пленок Bi и Sn на Si
|
|
| Creator |
Гладких, Н.Т.
Крышталь, А.П. Сухов, Р.В. |
|
| Description |
Излагаются результаты экспериментальных исследований распределения частиц по размерам и морфологических характеристик островковых систем висмута и олова, полученных методом плавления сплошных конденсированных пленок различной толщины (5—72 нм) на поверхности монокристаллического кремния. Показано, что предложенный метод позволяет создавать упорядоченные структуры на подложке, и определена область толщин пленок, при плавлении которых формируются островковые системы с одним максимумом функции распределения частиц по размерам. Приводятся данные о связях коэффициента заполнения подложки, плотности частиц, наиболее вероятного их размера с массовой толщиной исходных пленок висмута и олова.
Викладено результати експериментальних досліджень розподілу частинок по розмірах і морфологічних характеристик острівцевих систем бисмуту й цини, одержаних методою топлення суцільних конденсованих плівок різної товщини (5—72 нм) на поверхні монокристалічного кремнію. Показано, що запропонована метода дозволяє створювати впорядковані структури на підложжі, й визначено область товщини плівок, при топленні яких формуються островкові системи з одним максимумом функції розподілу частинок за розмірами. Наведено дані про зв’язки коефіцієнта заповнення підложжя, густини частинок, найбільш ймовірного їхнього розміру з масовою товщиною вихідних плівок бисмуту й цини. The results of the experimental study of particle-sizes distribution and morphological characteristics of Bi and Sn island systems are presented. The island systems were formed by melting of continuous condensed films of different thickness (5—72 nm) on the Si single-crystal surface. The possibility of formation of ordered structures on the substrate by means of this method is shown. The film-thickness range, within which the island systems with single peak of particle-sizes distribution function are formed, is determined. The relations of the substrate coverage, the particles-number density, the most probable particle size with the mass thickness of Bi and Sn deposited films are determined. |
|
| Date |
2014-12-23T18:17:18Z
2014-12-23T18:17:18Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Формирование островковых наносистем в результате самоорганизации при плавлении конденсированных пленок Bi и Sn на Si / Н.Т. Гладких, А.П. Крышталь, Р.В. Сухов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 1. — С. 79-90. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
1816-5230 PACS numbers: 68.08.Bc, 68.55.A-, 68.55.J-, 68.55.Nq, 81.07.Lk, 81.16.Dn, 81.16.Nd http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/72440 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
|
|
| Publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
|
|