Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
|
|
| Creator |
Витрихівський, М.
|
|
| Subject |
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
|
|
| Description |
The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growth. These crystals may be used in quantum electronics.
|
|
| Date |
2015-01-27T20:15:14Z
2015-01-27T20:15:14Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.
1563-3569 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75285 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Праці наукового товариства ім. Шевченка
|
|
| Publisher |
Західний науковий центр НАН України і МОН України
|
|