Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation
|
|
Creator |
Bogdanov, S.E.
Beddies, G. Daniel, M. Makogon, Yu.N. |
|
Description |
Two methods of creation of the TiSi₂(C54) stable phase are reviewed, and their comparison is considered. The formation of the structure of TiSi₂(C54) nanosize films on monocrystalline Si is studied. As shown, the TiSi₂(C54) formation is carried out faster (≅ 55 s) by low-energy thermion deposition (LETD) of Ti on mono-Si than by magnetron sputtering with post-annealing of 150 s and more. As noted, the electrical-resistivity value for TiSi₂(C54) nanosize film deposited by LETD is equal to ρv = 13.5 μΩ∙cm, and with magnetron sputtering, it is equal to ρv = 24 μΩ∙cm. A phenomenological model for titanium disilicide formation on mono-Si by low-energy thermion deposition of titanium is proposed.
Розглянуто дві методи формування стабільної фази TiSi₂(C54). Вивчено формування структури нанорозмірних плівок TiSi₂(C54) на монокристалічному кремнії. Показано, що формування TiSi₂(C54) відбувається швидше (≅ 55 с) за допомогою низькоенергетичної термоіонного осадження (НТІО) Ti на монокристалічний Si, аніж магнетронним напорошенням із подальшим відпалом (150 с і більше). Встановлено, що величина електричного опору для нанорозмірної плівки TiSi₂(C54), одержаної за допомогою НТІО, складає ρv = 13.5 μΩ∙cм, а при магнетронному напорошенні та подальшому відпалі — ρv = 24 μΩ∙cм. Запропоновано феноменологічну модель для формування дісиліциду титану на монокристалічному кремнії при НТІО титану. Рассмотрены два метода формирования стабильной фазы TiSi₂(C54). Изучено формирование структуры наноразмерных плёнок TiSi₂(C54) на монокристаллическом кремнии. Показано, что формирование TiSi₂(C54) происходит быстрее (≅ 55 с) при помощи низкоэнергетического термоионного осаждения (НТИО) Ti на монокристаллический Si, чем магнетронным напылением с последующим отжигом (150 с и более). Óстановлено, что величина электрического сопротивления для наноразмерной плёнки TiSi₂(C54), полученной при помощи НТИО, составляет ρv = 13.5 μΩ∙см, а при магнетронном напылении и последующем отжиге — ρv = 24 μΩ∙см. Предложена феноменологическая модель для формирования дисилицида титана на монокристаллическом кремнии при НТИО титана. |
|
Date |
2015-02-06T09:27:40Z
2015-02-06T09:27:40Z 2013 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation / S. E. Bogdanov, G. Beddies, M.Daniel, Yu.N. Makogon // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 1. — С. 295-302. — Бібліогр.: 7 назв. — анг.
1816-5230 PACSnumbers:66.30.Pa,68.55.-a,73.61.At,81.15.Cd,81.15.Jj,81.40.Rs,85.40.-e http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75923 |
|
Language |
en
|
|
Relation |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
|
|
Publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
|
|