Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
|
|
| Creator |
Гулямов, Г.
Шарибаев, Н.Ю. |
|
| Description |
Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными.
Розглянуто температурну залежність ширини забороненої зони напівпровідника. Чисельним моделюванням процесів теплової генерації з дискретних рівнів установлено, що ширина забороненої зони зменшується з ростом температури. Отримані результати збігаються з експериментальними даними. Temperature dependence of width of the forbidden zone of the semiconductor is considered. By numerical modeling of processes of thermal generation from discrete levels it is established, that the width of the forbidden zone decreases with temperature growth. The received results coincide with experimental data. |
|
| Date |
2015-02-08T07:50:38Z
2015-02-08T07:50:38Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76138 539.21: 621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|