Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃
|
|
| Creator |
Шамирзаев, C.Х.
Гулямов, Г. Дадамирзаев, М.Г. Шарибаев, Н.Ю. Гулямов, А.Г. |
|
| Description |
Исследовано влияние переменной деформации на сопротивление тензочувствительных пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃. Получены фазовые траектории тензорезистивного эффекта на плоскости сопротивления деформации. Показано, что замкнутые фазовые траектории обусловлены электронными релаксационными процессами. Открытые фазовые траектории релаксационными процессами, обусловленные изменением параметров материала.
Досліджено вплив змінної деформації на опір тензочутливих плівок Bi₂Te₃ і Sb₂Te₃. Отримано фазові траєкторії тензорезистивного ефекту на площині опору деформації. Показано, що замкнуті фазові траєкторії зумовлені електронними релаксаційними процесами, а відкриті фазові траєкторії-релаксаційними процесами та зміною параметрів матеріалу. Influence of variable deformation on resistance tens sensitivity films Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃ is investigated. Phase trajectories tens sensitivity effect on a plane of resistance deformation are received. It is shown, that the closed phase trajectories are caused electronic relaxation by processes, and open phase trajectories relaxation the processes, caused by change of parameters of a material. |
|
| Date |
2015-02-08T16:25:49Z
2015-02-08T16:25:49Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃ / C.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, Н.Ю. Шарибаев, А.Г. Гулямов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 68–71. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76169 621.362.1 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|