Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
|
|
| Creator |
Заболотный, М.А.
Кулиш, H.П. Дмитренко, О.П. Кобус, Е.С. Барабаш, Ю.М. |
|
| Description |
Исследуется процесс фотогенерации носителей электрического заряда в органических молекулярных полупроводниках, находящихся в сильных электрических полях. Использована теоретическая модель процесса, учитывающая диффузионно-дрейфовый характер движения носителей заряда. В рамках предложенной модели установлен экспоненциальный характер зависимости вероятности разделения близнецовой пары от времени. Постоянная времени сильно зависит от прыжкового расстояния носителя заряда и напряженности внешнего электрического поля, что согласуется с экспериментальными данными. Досліджується процес фотоґенерації носіїв електричного заряду в органічних молекулярних напівпровідниках, що знаходяться в сильних електричних полях. Використано теоретичний модель процесу, що враховує дифузійно-дрейфовий характер руху носіїв заряду. В рамках запропонованого моделю встановлено експоненційний характер залежности ймовірности поділу близнючої пари від часу. Стала часу сильно залежить від стрибкової віддалі носія заряду і напружености зовнішнього електричного поля, що узгоджується з експериментальними даними. The electrical-charge carrier photogeneration process is investigated for organic molecular semiconductors in powerful electrical fields. Theoretical model of the process that takes into account diffusion—drift character of charge-carrier motion is used. Within the scope of this model, exponential character of dependence of geminate-pair separation probability on time is established. The time constant depends strongly on jumping distance of charge carrier and external electric-field strength. This result accords well with experimental data. |
|
| Date |
2015-02-08T18:06:49Z
2015-02-08T18:06:49Z 2008 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Модель диссоциации электронно-дырочной пары в
супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках / М.А. Заболотный, H.П. Кулиш, О.П. Дмитренко, Е.С. Кобус, Ю.М. Барабаш // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1043-1057. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
1816-5230 PACS numbers: 71.35.Cc,71.35.Ee,72.20.Jv,73.50.Fq,73.50.Gr,79.60.Jv,85.65.+h http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76198 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
|
|
| Publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
|
|