Исследование влияния токого усиления на фотоэлектрографические и выходные характеристики преобразователя изображений ионизационного типа
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование влияния токого усиления на фотоэлектрографические и выходные характеристики преобразователя изображений ионизационного типа
|
|
| Creator |
Касымов, Ш.С.
Хайдаров, З. Хомидов, В.О. Юлдашев, Х.Т. Отажонов, С.М. |
|
| Description |
В настоящей работе рассматриваются процессы усиления и стабилизации в преобразователях изображений ионизационного типа. Для усиления фототока в газоразрядную ячейку дополнительно введен сеточный электрод. Изучено влияние сеточного электрода на люксамперные, фотографические, преобразовательные и выходные характеристики газоразрядной ячейки с полупроводниковым электродом. Результаты исследований применяются при меньшем пороговом значении общего тока, в отображении изображения в регистрирующем узле полупроводниковой ионизационной камере.
У даній роботі розглядаються процеси посилення та стабілізації в перетворювачах зображень іонізаційного типу. Для посилення фотоструму в газорозрядну комірку додатково уведений сітковий електрод. Вивчено вплив сіткового електрода на люксамперні, фотографічні, перетворювальні та вихідні характеристики газорозрядної комірки з напівпровідниковим електродом. Результати досліджень застосовуються при меншому пороговому значенні загального струму у відображенні зображень у реєструючому вузлі напівпровідникової іонізаційної камери. In the present work it is considered processes of strengthening and stabilization in converters of images ionization type. For photocurrent, strengthening the net electrode is in addition entered into a gas-discharge cell. Photographic, converting and target characteristics of a gas-discharge cell with a semi-conductor electrode are studied influence of a net electrode on lux amperes. Results of researches it is applied at smaller threshold value of the general current, in image display the registering knot semi-conductor ionization chambers. |
|
| Date |
2015-02-14T17:38:27Z
2015-02-14T17:38:27Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование влияния токого усиления на фотоэлектрографические и выходные характеристики преобразователя изображений ионизационного типа / Ш.С. Касымов, З. Хайдаров, В.О. Хомидов, Х.Т. Юлдашев, С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 4. — С. 376–379. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76999 621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|