Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
|
|
| Creator |
Стороженко, И.П.
Аркуша, Ю.В. |
|
| Subject |
Вакуумна та твердотільна електроніка
|
|
| Description |
Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность, особенности и проблемы использования полупроводниковых нитридов в диодах Ганна. Properties transfer, idealized limited space-charge accumulation mode and resonance transit-time mode of the GaN, AlN, InN n⁺–n–n⁺ and n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺ Gunn diodes were studied. Prospects, peculiarities and problems of nitride semiconductors in Gunn diodes are represented. Подано аналіз транспортних властивостей, ідеалізованого режиму з обмеженням об’ємного заряду і резонансно-прольотного режиму n⁺–n–n⁺ та n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-діодів Ганна на основі GaN, AlN та InN. Показано перспективність, особливості і проблеми використання напівпровідникових нітридів у діодах Ганна. |
|
| Date |
2015-03-10T16:59:01Z
2015-03-10T16:59:01Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 58-63. — Бібліогр.:19 назв. — рос.
1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78042 621.382.2 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Радіофізика та електроніка
|
|
| Publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
|
|