СТМ-анализы поверхностной структуры графита, подвергнутого импульсному облучению осколками деления
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
СТМ-анализы поверхностной структуры графита, подвергнутого импульсному облучению осколками деления
|
|
| Creator |
Козодаев, М.А.
Макеев, О.Н. Бабаев, В.П. Суворов, А.Л. Хохряков, В.Ф. Осадчук, Л.А. Леваков, Б.Г. Залужный, А.Г. |
|
| Subject |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
|
|
| Description |
Разработана методика облучения конструкционных материалов осколками деления в растворных импульсных ядерных реакторах. С помощью метода сканирующей туннельной микроскопии проведены исследования структуры поверхности высокоориентированного пиролитического графита (ВОПГ), подвергнутого импульсному облучению осколками деления. Флюенсы облучения варьировались в пределах от 5×10¹⁰ до 5×10¹² осколков/см². Определен спектр поверхностных дефектов, шероховатость формируемой поверхности облучения.
Розроблено методику опромінення конструкційних матеріалів осколками розподілу в розчинних імпульсних ядерних реакторах. За допомогою методу скануючої тунельної мікроскопії проведено дослідження структури поверхні високоорієнтованих пиролитического графіту (ВОПГ), підданого імпульсному опроміненню осколками розподілу. Флюєнси опромінення варіювалися в межах від 5×10¹⁰ до 5×10¹² осколків / см². Визначено спектр поверхневих дефектів, шорсткість формованої поверхні опромінення. The technique of irradiation of structural materials by fission fragments in mortar pulsed nuclear reactors. Using the method of scanning tunneling microscopy studied the surface structure of highly oriented pyrolytic graphite (HOPG), subjected to pulsed irradiation with fission fragments. Irradiation fluence varied in the range from 5×10¹⁰ to 5×10¹² fragments / cm². The spectrum of surface defects, the surface roughness is formed by irradiation. |
|
| Date |
2015-03-12T07:36:26Z
2015-03-12T07:36:26Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
СТМ-анализы поверхностной структуры графита, подвергнутого импульсному облучению осколками деления / М.А. Козодаев, О.Н. Макеев, В.П. Бабаев, А.Л. Суворов, В.Ф. Хохряков, Л.А. Осадчук, Б.Г. Леваков, А.Г. Залужный // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 31-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78141 661.666:539.12.04 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Вопросы атомной науки и техники
|
|
| Publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
|
|