Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
|
|
| Creator |
Кунченко, В.В.
Аксенов, И.И. |
|
| Subject |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
|
|
| Description |
Приведены результаты исследований свойств покрытий, полученных осаждением Ti плазмы дугового разряда низкого давления в режиме положительного анодного падения потенциала в зависимости от давления активного газа (N₂ и N₂+C₂H₂) и ускоряющего отрицательного потенциала подложки. Часть экспериментов посвящена изучению роли добавки ацетилена в формировании свойств получаемых покрытий. Показана перспективность практического применения получаемых таким способом покрытий.
|
|
| Date |
2015-03-12T20:11:21Z
2015-03-12T20:11:21Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала / В.В. Кунченко, И.И. Аксенов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 165-172. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78214 533.9 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Вопросы атомной науки и техники
|
|
| Publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
|
|