Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag
|
|
| Creator |
Стронский, А.В.
Влчек, М. Скленарж, А. |
|
| Subject |
Пленочные материалы и покрытия
|
|
| Description |
Исследованы особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag. На основном этапе фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag наблюдается параболическая зависимость толщины слоя продуктов от экспозиции Н и контролирующими можно полагать диффузионные процессы. Спектры комбинационного рассеяния продуктов фотостимулированного взаимодействия и слоев As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag анализировались в рамках молекулярной модели. Обсуждены также особенности образования металл-халькогенидных связей. Дифракционная эффективность решеток, записанных на системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag, составляла ~ 60 % в поляризованном свете.
|
|
| Date |
2015-03-13T06:38:54Z
2015-03-13T06:38:54Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag / А.В. Стронский, М. Влчек, А. Скленарж // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 5. — С. 87-90. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78238 539.216.22: 771.5; 539.219.3; 535.84.853.31 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Вопросы атомной науки и техники
|
|
| Publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
|
|