Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
|
|
| Creator |
Ильин, И.Ю.
Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Ренгевич, А.Е. Соловьев, Е.А. Приходенко, В.И. |
|
| Subject |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
|
|
| Description |
До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между параметрами ПТШ и радиационными изменениями свойств границы раздела фаз как в интервале доз, в котором реализуется радиационно-стимулированное геттерирование дефектов, так и радиационная деградация приконтактных областей GaAs. Предложен интервал доз облучения ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в котором параметры ПТШ улучшаются. Этот интервал соответствует дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р.
Перед та пiсля опромiнення γ-квантами ⁶⁰Со у диапазонi доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р дослiдженi статичнi вольтампернi характеристики та шумова температура на частотi 12 ГГц арсенiдгалiєвих польових транзисторiв з затвором Шоттки (ПТШ) та НЕМТ (high electron mobility transistor). Встановлена кореляцiя мiж параметрами ПТШ та радiацiйними змiнами властивостей меж подiлу фаз як у iнтервалi доз, в якому реалiзується радiацiйно-стимульоване гетерування дефектiв, так i радiацiйна деградацiя приконтактних дiлянок GaAs. Запропоновано iнтервал доз опромiнення ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в якому параметри ПТШ помiньшуються. Цей iнтервал вiдповiдає дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р. The statistic volt-amper characteristics and the noise temperature on a frequency of 12 HzHz of arsenide gallium field effect transistor with Shotky lock and of high electron mobility transistor ( HEMT ) were studied before and after γ-quantum ⁶⁰Co irradiation in the dose range of 1.10⁴... 2.10⁹. The correlation between the PTSh parameters and the radiation-induced changes of phases boundaries properties was established for the dose range where the radiation-stimulated defect gettering is realized and the radiation degradation of nearcontact regions GaAs .The dose range of PTSh irradiation by γ-quantum ⁶⁰Co where the PtSh parameters improve is proposed . This range corresponds to doses of 1.10⁴…7.10⁷ P. |
|
| Date |
2015-03-13T20:27:35Z
2015-03-13T20:27:35Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со / И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78345 621.382.2 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Вопросы атомной науки и техники
|
|
| Publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
|
|