Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
|
|
| Creator |
Исмайлов, К.А.
Статов, В.А. Тагаев, М.Б. Камалов, А.Б. |
|
| Subject |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
|
|
| Description |
Приведены экспериментальные данные о влиянии γ- и β-излучений на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики диодных структур с барьером Шоттки Au-Al-GaAs и Au-Ti-GaAs. Обнаружен интервал доз, в котором улучшаются параметры диодных структур.
Наведені експериментальні дані про вплив γ- та β-випромінювань на вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики діодних структур з бар’єром Шоттки Au-Al-GaAs та Au-Ti-GaAs. Виявлено інтервал доз, в якому покращуються параметри діодних структур. The experimental data on γ- and β-irradiation effect on the volt amper and volt-farad characteristics of diod structures with Schottky barrier Au-Al-GaAs and Au-Ti-GaAs are presented . The dose interval with this improved diode structures parameters is revealed. |
|
| Date |
2015-03-13T20:33:04Z
2015-03-13T20:33:04Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения / К.А. Исмайлов, В.А. Статов, М.Б. Тагаев, А.Б. Камалов // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 63-65. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78346 621. 382.2 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Вопросы атомной науки и техники
|
|
| Publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
|
|