An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
|
|
| Creator |
Dovbnya, A.N.
Yefimov, V.P. Pugachev, G.D. Dyomin, V.S. Dovbnya, N.A. Gordienko, J.E. Borodin, B.G. Babychenko, S.V. Semenets, T.A. |
|
| Subject |
Применение ускорителей в радиационных технологиях
|
|
| Description |
In the paper the processes of accumulation of radiation defects, formed by fragments of ²³⁸U nucleus fission, for forming of amorphous phases in the bulk of single-crystal silicon and the influence of the temperature annealing of defects on the properties of disordered structures are investigated.
Исследуются процессы накопления радиационных дефектов, образованных осколками деления ядер ²³⁸U, для формирования аморфных фаз в объеме монокристаллического кремния и влияния температуры отжига дефектов на свойства разупорядоченных структур. Досліджуються процеси накопичення радіаційних дефектів, утворених осколками ділення ядер ²³⁸U, для формування аморфних фаз в об'ємі монокристалічного кремнію та впливу температури віджига дефектів на властивості розупорядкованих структур. |
|
| Date |
2015-04-06T15:54:26Z
2015-04-06T15:54:26Z 2006 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, G.D. Pugachev, V.S. Dyomin, N.A. Dovbnya, J.E. Gordienko, B.G. Borodin, S.V. Babychenko, T.A. Semenets // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 3. — С. 179-181. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
1562-6016 PACS: 61.82. Fk http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79885 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Вопросы атомной науки и техники
|
|
| Publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
|
|