Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок
|
|
| Creator |
Глушко, П.И.
Журавлёв, А.Ю. Капустин, В.Л. Левенец, В.В. Семенов, Н.А. Хованский, Н.А. Шеремет, В.И. Широков, Б.М. Шиян, А.В. |
|
| Subject |
Физика и технология конструкционных материалов
|
|
| Description |
Разработан и изготовлен сублимационный источник атомов для нанесения плёнок методом молекулярно- лучевой эпитаксии. С использованием сублимационного источника получены эпитаксиальные кремний- германиевые пленки с различным содержанием германия.
Розроблено і виготовлено сублімаційне джерело атомів для нанесення плівок методом молекулярно- променевої епітаксії. З використанням сублімаційного джерела отримано епітаксійні кремній-германієві плівки з різним вмістом германію. The atom sublimation source for application the films by molecular beam epitaxy method is developed and made. The epitaxial silicon-germanium films with different germanium content were obtained with the help of sublimation source. |
|
| Date |
2015-04-09T08:15:21Z
2015-04-09T08:15:21Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок / П.И. Глушко, А.Ю. Журавлёв, В.Л. Капустин, В.В. Левенец, Н.А. Семенов, Н.А. Хованский, В.И. Шеремет, Б.М. Широков, А.В. Шиян // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 167-169. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79936 669.094.54:661.87.621:661.668 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Вопросы атомной науки и техники
|
|
| Publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
|
|