Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
|
|
| Creator |
Andreyeva, N.V.
Virchenko, Yu.P. |
|
| Subject |
Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом
|
|
| Description |
The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the breakdown regime development. Проведено аналiз нерухомих точок еволюцiйного рiвняння для температури в областi теплової флуктуацiї у напiвпровiдниковiй плiвцi. Доведено, що існує нерухома стійка точка, яка є більшою за величиною порогу виникнення режиму пробою. Проведен анализ неподвижных точек эволюционного уравнения для температуры в области тепловой флуктуации на полупроводниковой плёнке. Показано, что существует устойчивая неподвижная точка, большая по величине порога возникновения режима пробоя. |
|
| Date |
2015-04-18T20:21:02Z
2015-04-18T20:21:02Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 126-128. — Бібліогр.: 2 назв. — англ.
1562-6016 PACS: 75.50.L; 75.30.С http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80553 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Вопросы атомной науки и техники
|
|
| Publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
|
|