Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector
|
|
| Creator |
Maslov, N.I.
Potin, S.M. Starodubtsev, A.F. |
|
| Subject |
Экспериментальные методы и обработка даных
|
|
| Description |
The results of studying the ohmic side of the double-sided microstrip detectors (DSMD) possessing the diode separating p⁺ stop structure of different type and size are presented. The effect of the p⁺ stop structure on the DSMD interstrip resistance and interstrip capacitance is considered. Представлено результати дослідження омічної сторони двосторонніх мікрострипових детекторів (ДСМД), які мають діодну розділяючу p⁺ стоп-структуру різного типу та розміру. Розглянуто вплив p⁺ стоп-структури на міжстрипову ємність та міжстриповий опір ДСМД. Представлены результаты исследования омической стороны двухсторонних микростриповых детекторов (ДСМД), имеющих диодные разделяющие p⁺ стоп-структуры различных типов и размера. Рассмотрено влияние p⁺ стоп-структуры на межстриповую емкость и межстриповое сопротивление ДСМД. |
|
| Date |
2015-05-13T17:38:17Z
2015-05-13T17:38:17Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector / N.I. Maslov, S.M. Potin, A.F. Starodubtsev // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 6. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
1562-6016 PACS: 29.40.Wk http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81227 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Вопросы атомной науки и техники
|
|
| Publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
|
|