Запис Детальніше

Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
 
Creator Ковтун, Г.П.
Щербань, А.П.
Горбенко, Ю.В.
Пироженко, Л.А.
Зеленская, В.И.
Берингов, С.Б.
Власенко, Т.В.
Шульга, Ю.Г.
 
Subject Чистые материалы и вакуумные технологии
 
Description Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы
легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами (ЭФП) для изделий солнечной энергетики.
Проведено аналіз особливостей системи Si - Ga в області низького вмісту галію. Описані методи
легування кремнію галієм. Запропоновано спосіб одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм,
використовуваної при одержанні монокристалів кремнію з заданими електрофізичними параметрами (ЕФП)
для виробів сонячної енергетики.
The analysis of features of system Si - Ga is carried out in the field of the low contents of a gallium. The methods of an alloying of silicon by a gallium are described. The method of obtaining of a gallium rich alloy on a base of
silicon alloy, used at obtaining of silicon single crystals with the given electrophysical properties (EPP) for goods of
solar power engineering.
 
Date 2015-05-13T19:02:59Z
2015-05-13T19:02:59Z
2004
 
Type Article
 
Identifier Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
1562-6016
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81253
669.782
 
Language ru
 
Relation Вопросы атомной науки и техники
 
Publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України