Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
|
|
| Creator |
Баранський, П.І.
Бабич, В.М. Гайдар, Г.П. |
|
| Subject |
Фізика
|
|
| Description |
У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ||k = Km/Kτ (а отже, i параметра анiзотропiї розсiяння Kτ = Km/K) для областi азотних температур у припущеннi, що дослiджуванi кристали є практично не компенсованими. Наведено пояснення наявностi мiнiмуму на залежностi ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в областi ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³. В широком интервале концентраций носителей заряда 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в опытах с монокристаллами n−Si экспериментально получена зависимость предельных значений тензосопротивления ρ∞^[100]/ρ₀ от ne, которая позволяет проводить расчеты параметра анизотропии подвижности K = μ⊥/μk = Km/K (а следовательно, и параметра анизотропии рассеяния K = Km/K) для области азотных температур в предположении, что исследуемые кристаллы являются практически не компенсированными. Объяснено наличие минимума на зависимости ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в области ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³. In a wide range of concentrations of charge carriers 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ at T = 77.4 К in the experiments with the single crystals of n−Si, the dependence of the limit values of tensoresistance ρ∞^[100]/ρ₀ on ne, which allows us to calculate the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μk = Km/K (and, hence, the anisotropy parameter of scattering K = Km/K) for the region of liquid nitrogen temperatures in the assumption that the investigated crystals are almost uncompensated, is experimentally obtained. The presence of a minimum on the dependence ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) in the region of ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³ is explained. |
|
| Date |
2015-08-31T16:18:02Z
2015-08-31T16:18:02Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/85897 621.315.592 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Доповіді НАН України
|
|
| Publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
|
|