Формування зонної діаграми напівпровідникових надґрат
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування.
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формування зонної діаграми напівпровідникових надґрат
Формирование зонной диаграммы полупроводниковых сверхрешеток Semiconductor superlattice zone diagram formation |
|
| Creator |
Khatian, D. V.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Gindikina, M. A.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут” Nelin, E. A.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут” |
|
| Subject |
537.311.6:621.372
напівпровідникові надґрати; вхідний імпеданс; зонна діаграма |
|
| Description |
Досліджено зонні особливості вхідних імпедансних характеристик необмежених і обмежених напівпровідникових надґрат (НҐ). Взаємним порівняння залежностей коефіцієнта відбиття обмежених НҐ і активної складової вхідного імпедансу необмежених НҐ проаналізовано формування зонної діаграми обмеженими НҐ. В результаті аналізу залежності параметрів заборонених зон обмежених НҐ від кількості бар’єрів проаналізовано степінь наближення параметрів зонної діаграми обмежених НҐ до параметрів зонної діаграми необмежених НҐ.
Исследованы зонные особенности входных импедансных характеристик неограниченных и ограниченных полупроводниковых сверхрешеток (СР). Взаимным сравнением зависимостей коэффициента отражения ограниченных СР и активной составляющей входного импеданса неограниченной СР проанализировано формирование зонной диаграммы ограниченными СР. В результате анализа зависимости параметров запрещенных зон ограниченных СР от количества барьеров проанализирована степень приближения параметров зонной диаграммы ограниченных СР к параметрам зонной диаграммы неограниченной СР. Ключевые слова: полупроводниковые сверхрешетки; входной импеданс; зонная диаграмма Inroduction. In this paper the input impedance characteristics of unlimited and limited superlattices structures were investigated. Superlattices structures are periodic nanoscale multilayer structures in which a periodic potential of the crystal spatially additionally lattice modulated with potential of this structure. Superlattices’ impedance model. The expressions for input impedance on the left bound of unlimited crystal structure barrier were formed. Impedance characteristics of unlimited superlattices. The input impedance characteristics of unlimited structures were formed. The band nature of the superlattices’ structures through the dependence of active component of input impedance was shown. Impedance characteristics of limited superlattices. By the intercomparison of the reflection coefficient of the limited superlattices and active component of the input impedance of unlimited superlattices was analyzed the formation of the unlimited superlattices’ band diagram. As the result of the analysis of the parameters’ of the forbidden zones of limited superlattices and the number of superlattices’ barriers dependence was analyzed the degree of the parameters’ approximation of the limited superlattices’ band diagrams to the parameters of unlimited superlattice’s band diagram. Three points of matching were found. One point was located in the forbidden zone. The matching condition for the second and the third points meets resonance over-barrier passage of electrons through superlattices. Conclusions. They were found matching conditions of limited superlattices with the environment on their input as well as the features of the formation of the band diagram of superlattices. |
|
| Publisher |
National Technical University of Ukraine
|
|
| Date |
2015-09-30
|
|
| Type |
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1069
|
|
| Source |
BULLETIN of National Technical University of Ukraine. Series RADIOTECHNIQUE. RADIOAPPARATUS BUILDING; № 62 (2015); 100-107
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 62 (2015); 100-107 Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 62 (2015); 100-107 |
|
| Language |
ukr
|
|
| Relation |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1069/1061
|
|
| Rights |
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
|
|