Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
|
|
Creator |
Зубкова, С.М.
Русина, Л.Н. |
|
Subject |
Фізика
|
|
Description |
Для полярной поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ со структурой сфалерита ZnTe, ZnS, CdTe исследованы зонная структура, локальная плотность электронных состояний (полная и послойная), а также распределение зарядовой плотности валентных электронов (3D-графики и контурные карты). Отдельно рассмотрены свойства поверхностей, заканчивающихся анионом и катионом. Численный расчет проведен самосогласованным “трехмерным” методом псевдопотенциала в рамках модели слоистой сверхрешетки. В процессе самосогласования использован оригинальный итератор, позволивший преодолеть трудности, обусловленные наличием в случае поверхности векторов обратной решетки, меньших 1 ат. ед. Для полярної поверхнi (111) у кристалах типу А²В⁶ iз структурою сфалериту i ZnTe, ZnS, CdTe дослiджено зонну структуру, локальну густину електронних станiв (повна i пошарова), а також розподiл зарядової густини валентних електронiв (3D-графiки та контурнi карти). Окремо розглянуто властивостi поверхонь, що закiнчуються анiоном i катiоном. Чисельний розрахунок для кристалiв типу сфалериту проведено самоузгодженим “тривимiрним” методом псевдопотенцiалу в рамках моделi шаруватої надгратки. В процесi самоузгодження використано оригiнальний iтератор, який дозволив подолати труднощi, пов’язанi з наявнiстю у випадку поверхнi векторiв оберненої гратки, менших за 1 ат. од. Electronic band structure, local densities of states (total and layer-resolved ones), and the distribution of a charge density of valence electrons (3D-graphics and contour cards) at the (111) polar surface in ZnTe, ZnS, CdTe crystals have been studied. The properties of anion- and cation-terminated surfaces have been analyzed separately. The self-consistent three-dimensional pseudopotential method has been used for numerical calculations in the framework of a model of layered superlattice. The application of an original iterator in the self-consistent procedure allowed the difficulties associated with the surface-induced presence of reciprocal-lattice vectors shorter than 1 a. u. to be overcome. |
|
Date |
2015-10-01T16:52:40Z
2015-10-01T16:52:40Z 2014 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ / С.М. Зубкова, Л.Н. Русина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 1. — С. 72–80. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/86792 538.915 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Доповіді НАН України
|
|
Publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
|
|