Електрофізичні властивості нанокристалічних плівок кобальту із покриттям Ni або SiO2
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Електрофізичні властивості нанокристалічних плівок кобальту із покриттям Ni або SiO2
|
|
Creator |
Говорун, Тетяна Павлівна
Дехтярук, Леонід Васильович Чорноус, Анатолій Миколайович Dehtiaruk, Leonid Vasylovych Дехтярук, Леонид Васильевич Говорун, Татьяна Павловна Hovorun, Tetiana Pavlivna Chornous, Anatolii Mykolaiovych Чорноус, Анатолий Николаевич |
|
Subject |
електрофізичні властивості
нанокристалічні плівки розмірні ефекти электрофизические свойства нанокристаллические пленки размерные эффекты electrical properties nanocrystalline films size effects |
|
Description |
Експериментально досліджено електрофізичні властивості (питомий опір, температурний коефіцієнт опору) нанокристалічних плівок Со з тонким покриттям із Ni або Sі02. На основі аналізи результатів розрахунку параметрів електроперенесення з використанням моделів Тельє-Тоссе-Пішар, Маядаса-Шатцкеса та Ухлінова-Косаківської показано, що вплив тонкого покриття із Ni або SiO2 призводить до зменшення температурного коефіцієнта опору за рахунок зміни умов розсіяння на поверхні плівки та по межах зерен.// Русск. версия: Экспериментально исследованы электрофизические свойства (удельное сопротивление, температурный коэффициент сопротивления) нанокристаллических пленок Со с тонким покрытием из Ni или Si02. На основе анализа результатов расчета параметров электропереноса с использованием моделей Телье-Тоссэ-Пишар, Маядаса-Шатцкеса и Ухлинова-Косаковской показано, что влияние тонкого покрытия из Ni или Si02 приводит к уменьшению температурного коэффициента сопротивления в результате изменения условий рассеяния на поверхности пленки и по границам зерен.
Electrophysical properties (resistivity, temperature coefficient of resistance) of nanocrystalline films of Co with thin Ni or Si02 coating are experimentally investigated. The analysis of calculated parameters of electric-charge transport within the frameworks of the Tellier-Tosser-Pichard, Mayadas-Shatzkes and Ukhlinov-Kosakovskaya models shows that thin Ni or Si02 coating leads to the reduction of temperature coefficient of resistance because of the change of conditions of scattering from a film surface and by grain boundaries. |
|
Publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
|
|
Date |
2010-12-17T10:06:21Z
2010-12-17T10:06:21Z 2007 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Говорун, Т.П. Електрофізичні властивості нанокристалічних плівок кобальту із покриттям Ni або SiO2 [Текст] / Т.П. Говорун, Л.В. Дехтярук, А.М. Чорноус // Металлофиз. новейшие технол. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 2007, т. 29, № 11, сс. 1479-1493.
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/563 |
|
Language |
uk
|
|