Формирование многослойных пленочных структур с отрицательным термическим коэффициентом сопротивления и увеличенным коэффициентом тензочувствительности
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формирование многослойных пленочных структур с отрицательным термическим коэффициентом сопротивления и увеличенным коэффициентом тензочувствительности
|
|
| Creator |
Проценко, Сергей Иванович
Токмань, Валерий Васильевич Чорноус, Анатолий Николаевич Токмань, Валерій Васильович Tokman, Valerii Vasylovych Chornous, Anatolii Mykolaiovych Чорноус, Анатолій Миколайович Проценко, Сергій Іванович Protsenko, Serhii Ivanovych |
|
| Subject |
термический коэффициент сопротивления
тензорезистивный эффект термічний коефіцієнт опору тензорезистивний ефект thermal coefficient of resistance effect of tensosensibility |
|
| Description |
Представлены экспериментальные результаты исследования температурной зависимости термического коэффициента сопротивления (ТКС) пленочных систем на основе Ti, Ni и Cr, Ge. Отрицательное значение ТКС в первом случае связано с поглощением слоем Ti из остаточной атмосферы примесных газов, а во втором, скорее всего, с рекристаллизационными процессами в пленке Ge и взаимодействием между атомами Ge и Cr. Изучен тензорезистивный эффект в пленках на основе Cr, Ge и Cr, Sc. Проведено сравнение коэффициента продольной тензочувствительности однослойных и трехслойных пленок. Полученное отличие связано с вкладом а тензоэффект рассеивания электронов на границе раздела слоев
S.I.Procenko, V.VTokman`, A.M.Chomous Formation of multilayer films structures with a negative thermal resistance coefficient and enlarged coefficient of tensosensibility. ExpcrimcntaJ results of temperature dependence of a thermal resistance coefficient TCR of film systems on a basis Ti, Ni and Cr, Ge represented. The negative value TCR of Ti films connected with absorbed of layer Ti of impurity gases from a residue atmosphere, and in second case, most likely, with processes of recrystalMzation in Ge film and interaction between atoms Ge and Cr. Effect of tensosensibility in single and three-layer films is studied. Received difference is connected with scattering of electron on boundary of separate layers. |
|
| Publisher |
Воронежский государственный технический университет
|
|
| Date |
2010-12-20T14:40:32Z
2010-12-20T14:40:32Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Проценко, С.И. Формирование многослойных пленочных структур с отрицательным термическим коэффициентом сопротивления и увеличенным коэффициентом тензочувствительности [Текст] / С.И. Проценко, В.В. Токмань, А.Н. Чорноус // Вестник Воронежского государственного технического университета. Серия Материаловедение. - 2002. - Вып. 1.11. - С. 17-19.
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/819 |
|
| Language |
ru
|
|