EFFECT OF SUBSTRATE TEMPERATURE ON STRUCTURAL, OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF AL-DOPED ZINC OXIDE THIN FILMS DEPOSITED BY LAYER-BY-LAYER METHOD AT MAGNETRON SPUTTERING
Институционный репозиторий Киевского университета имени Бориса Гринченко
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://elibrary.kubg.edu.ua/10940/
http://semst.onu.edu.ua/ua/index.html |
|
| Title |
EFFECT OF SUBSTRATE TEMPERATURE ON STRUCTURAL, OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF AL-DOPED ZINC OXIDE THIN FILMS DEPOSITED BY LAYER-BY-LAYER METHOD AT MAGNETRON SPUTTERING
Вплив температури підкладки на структурні, оптичні та електричні характеристики легованих алюмінієм тонких плівок оксиду цинку осаджених методом пошарового магнетронного розпилення Влияния температуры подложки на структурные, оптические и электрические характеристики легированных алюминием тонких пленок оксида цинка осажденных методом послойного магнетронного распыления |
|
| Creator |
Dranchuk, M. V.
Ievtushenko, A. I. Karpyna, V. A. Литвин, Оксана Степанівна Romanyuk, V. R. Tkach, V. M. Baturin, V. A. Karpenko, O. Y. Kuznetsov, V. M. Popovych, V. I. |
|
| Subject |
Фахові (входять до переліку фахових, затверджений МОН)
|
|
| Description |
Al-doped ZnO (AZO) thin films were deposited by magnetron sputtering layer-by-layer growth method on silicon and glass substrates at different substrate temperatures. The atomic force microscopy analysis shows that AZO films are very flat with average root-mean square roughness 2.3 nm. Energy dispersive X-ray spectroscopy analysis reveals that Al content in AZO films approx. 1 at. %. X-ray diffraction studies have shown that all aluminum doped ZnO films are polycrystalline ones having hexagonal wurtzite structure with c-axis oriented perpendicular to film plane (002). Optical measurements showed that all as-grown films are highly transparent (84%) in the visible region of optical spectrum and have band gap energy within 3.34 - 3.41 eV testifying their good optical quality. The lowest value of electrical resistivity was 1.7×10−2 Ω·cm for AZO film deposited at substrate temperature 350°C.
Леговані алюмінієм тонкі плівки ZnO (AZO) були вирощені на кремнієвих та скляних підкладках методом пошарового росту у магнетронному розпилюванні при різній температурі підкладки. Аналіз за допомогою атомно-силової мікроскопії продемонстрував, що плівки AZO є дуже гладкими з середнім значенням середньоквадратичної шорсткості 2,3 нм. В результаті проведення енерго-дисперсійного рентгенівського аналізу встановлено, що вміст алюмінію в плівках AZO становить приблизно 1 ат. %. Рентгенівські дослідження показали, що всі леговані алюмінієм плівки ZnO є полікристалічними з гексагональною структурою вюрциту з віссю с орієнтованої перпендикулярно площини плівки (002). Оптичні вимірювання показали, що всі вирощені плівки мають високу прозорість (84%) у видимій області спектра і мають ширину забороненої зони 3,34 - 3,41 еВ, що свідчить про їх добру оптичну якість. Найнижче значення електричного опору становило 1,7·10-2 Ом·см для AZO плівки, вирощеної при температурі підкладки 350 °C. Легированные алюминием тонкие пленки ZnO (AZO) были выращены на кремниевых и стеклянных подложках методом послойного роста в магнетронном распылении при разной температуре подложки. Анализ с помощью атомно-силовой микроскопии показал, что пленки AZO являются очень гладкими со средним значением среднеквадратичной шероховатости 2,3 нм. В результате проведения энерго-дисперсионного рентгеновского анализа установлено, что содержание алюминия в пленках AZO составляет примерно 1 ат. %. Рентгеновские исследования показали, что все легированные алюминием пленки ZnO являются поликристаллическими с гексагональной структурой вюрцита с осью с ориентированной перпендикулярно плоскости пленки (002). Оптические измерения показали, что все выращенные пленки имеют высокую прозрачность (84%) в видимой области спектра и имеют ширину запрещенной зоны 3,34 - 3,41 эВ, что свидетельствует о их хорошем оптическом качестве. Наименьшее значение сопротивления составило 1,7·10-2 Ом·см для пленки AZO, выращенной при температуре подложки 350 °C. |
|
| Publisher |
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
|
|
| Date |
2015-01-01
|
|
| Type |
Стаття
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
|
|
| Identifier |
http://elibrary.kubg.edu.ua/10940/1/M_Dranchuk_A_Ievtushenko_V_Karpyna_O_Lytvyn_SEIMT_2015_IS.pdf
Dranchuk, M. V. та Ievtushenko, A. I. та Karpyna, V. A. та Литвин, Оксана Степанівна та Romanyuk, V. R. та Tkach, V. M. та Baturin, V. A. та Karpenko, O. Y. та Kuznetsov, V. M. та Popovych, V. I. (2015) Вплив температури підкладки на структурні, оптичні та електричні характеристики легованих алюмінієм тонких плівок оксиду цинку осаджених методом пошарового магнетронного розпилення Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 12 (1). с. 5-12. ISSN 1815-7459 |
|