Тонкоплівкові гетеропереходи ZnTe/CdTe
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Тонкоплівкові гетеропереходи ZnTe/CdTe
ZnTe/CdTe thin-film heterojunctions |
|
| Creator |
Колесник, Максим Миколайович
Опанасюк, Анатолій Сергійович Тиркусова, Надія Володимирівна Данильченко, Сергій Миколайович Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Danylchenko, Serhii Mykolaiovych Данильченко, Сергей Николаевич Колесник, Максим Николаевич Опанасюк, Анатолий Сергеевич Тыркусова, Надежда Владимировна Tyrkusova, Nadiia Volodymyrivna |
|
| Subject |
ГЕТЕРОПЕРЕХІД ZnTe/CdTe
СТРУКТУРНИЙ ФАКТОР РОЗМІР ЗЕРЕН ВОЛЬТ-АМПЕРНА ХАРАКТЕРИСТИКА МЕХАНІЗМ СТРУМОПЕРЕНОСУ ZnTe/CdTe HETEROJUNCTIONS STRUCTURE FACTOR GRAIN SIZE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC CHARGE-TRANSPORT MECHANISM |
|
| Description |
У роботі вивчені структурні та електричні властивості гетеропереходів ZnTe/CdTe, одержаних методом термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі. Проведені дослідження дозволили визначити структурні параметри плівок, такі як текстура, період кристалічної гратки, розміри кристалітів та областей когерентного розсіювання, рівень мікродеформацій, а також їх залежність від умов отримання плівок. Електрофізичні дослідження дозволили визначити механізми струмоперенесення в гетеропереході. // Eng In this work we have studied the structural and electrophysical properties of the ZnTe/CdTe heterojunctions, obtained by the method of thermal evaporation in quasi-closed volume. Investigations allowed to define the films structural parameters, such as texture, lattice constant, sizes of grains and coherent-scattering domains, micro-deformation level, and their dependence on the conditions of films production as well. Electrophysical investigations allowed to define the charge-transport mechanism in heterojunction.
|
|
| Publisher |
Вид-во СумДУ
|
|
| Date |
2011-01-15T13:46:25Z
2011-01-15T13:46:25Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
М.М. Колесник, А.С. Опанасюк, Н.В. Тиркусова, С.М. Данильченко, Ж. нано- електрон. фіз. 1 №2, 11 (2009)
2077-6772 http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2640 |
|